产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(2)
TO-220-3(3)
TO-220-3 整包(2)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-251-3 短截引线，IPak(1)
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Infineon Technologies(13)
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表面贴装(6)
通孔(7)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(13)
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带卷（TR） (1)
管件 (7)
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PG-TO252-3(3)
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22nC @ 10V(6)
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950 毫欧 @ 2.8A，10V(13)
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N 沟道(13)
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4.5A（Tc）(13)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名：SPD04N50C3ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000216299
SPA04N60C3
SPA04N60C3IN
SPA04N60C3IN-ND
SPA04N60C3XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60C3
仓库库存编号：
SPB04N60C3INCT-ND
别名：SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
SPB04N60C3XTINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU04N60C3
仓库库存编号：
SPU04N60C3IN-ND
别名：SP000095850
SPU04N60C3-ND
SPU04N60C3BKMA1
SPU04N60C3IN
SPU04N60C3X
SPU04N60C3XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N50C3
仓库库存编号：
SPD04N50C3INCT-ND
别名：SPD04N50C3INCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB04N50C3ATMA1TR-ND
别名：SP000014477
SPB04N50C3
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3INTR-ND
SPB04N50C3XT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA04N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA04N50C3XKSA1-ND
别名：SP000216298
SPA04N50C3
SPA04N50C3IN
SPA04N50C3IN-ND
SPA04N50C3X
SPA04N50C3XK
SPA04N50C3XTIN
SPA04N50C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N50C3HKSA1-ND
别名：SPP04N50C3
SPP04N50C3IN
SPP04N50C3IN-ND
SPP04N50C3X
SPP04N50C3XK
SPP04N50C3XTIN
SPP04N50C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名：SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N50C3T
仓库库存编号：
SPD04N50C3XTINCT-ND
别名：SPD04N50C3XTINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名：SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
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产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA,
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