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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA2
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA2-ND
  别名：SP001061292
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA2
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA2-ND
  别名：SP001061294
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB77N06S2-12
  仓库库存编号：SPB77N06S2-12-ND
  别名：SP000013587
  SPB77N06S212T
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP77N06S2-12
  仓库库存编号：SPP77N06S2-12-ND
  别名：SP000013588
  SPP77N06S212
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA1
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA1TR-ND
  别名：IPB77N06S2-12
  IPB77N06S2-12-ND
  SP000218173
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA1
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA1-ND
  别名：IPP77N06S2-12
  IPP77N06S2-12-ND
  SP000218172
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB034N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB034N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB034N06N3 GCT
  IPB034N06N3 GCT-ND
  IPB034N06N3G
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 93μA,
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