产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix (18)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1400DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1400DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1400DL-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1400DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1400DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1400DL-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4838DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4838DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4838DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5443DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5443DC-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5443DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5443DC-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4838DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4862DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4862DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4862DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4862DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1303EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1303EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1303EDL-T1-E3CT
SI1303EDLT1E3
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3812DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3812DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3812DV-T1-E3CT
SI3812DVT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4876DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4876DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4876DY-T1-E3CT
SI4876DYT1E3
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MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3812DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3812DV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4876DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4876DY-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5449DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5449DC-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
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SI5449DC-T1-GE3
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MOSFET N-CH 20V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 40A(Tc) 8.3W(Ta),71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N02-08-E3
仓库库存编号:
SUD40N02-08-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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