产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),98A(Tc) 139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4H1ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S4H1ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 54W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC86184
仓库库存编号:
FDMC86184CT-ND
别名:FDMC86184CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A(Ta),90A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
别名:BSC100N10NSF GCT
BSC100N10NSF GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC079N10NSGATMA1CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),45A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB165N15NZ3 G
仓库库存编号:
BSB165N15NZ3 GCT-ND
别名:BSB165N15NZ3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S402ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S402AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-02
IPI120N04S4-02-ND
SP000764742
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3-05
仓库库存编号:
IPI80N06S3-05IN-ND
别名:IPI80N06S3-05-ND
IPI80N06S3-05IN
IPI80N06S305X
IPI80N06S305XK
SP000102214
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3-05
仓库库存编号:
IPP80N06S3-05IN-ND
别名:IPP80N06S3-05-ND
IPP80N06S3-05IN
IPP80N06S305X
IPP80N06S305XK
SP000102213
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3-05
仓库库存编号:
IPB80N06S3-05-ND
别名:SP000102222
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S402AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-02
IPP120N04S4-02-ND
SP000764734
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 110μA,
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