产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) H-PSOF-8-1
型号:
IPLU300N04S4R8XTMA1
仓库库存编号:
IPLU300N04S4R8XTMA1CT-ND
别名:IPLU300N04S4R8XTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S400ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S400ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S400ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP048N12N3 G
仓库库存编号:
IPP048N12N3 G-ND
别名:IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2H5ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S2H5ATMA2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S302AKSA1-ND
别名:IPP120N04S3-02
IPP120N04S3-02-ND
IPP120N04S302
SP000261228
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA2-ND
别名:SP001063646
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N04S4R9ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N04S4R9ATMA1-ND
别名:SP000952896
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S302AKSA1-ND
别名:IPI120N04S3-02
IPI120N04S3-02-ND
IPI120N04S302
SP000261225
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3-03-ND
别名:IPB100N06S303XT
SP000087982
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3-03
仓库库存编号:
IPI100N06S3-03-ND
别名:IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3-03
仓库库存编号:
IPP100N06S3-03-ND
别名:IPP100N06S303X
IPP100N06S303XK
SP000087980
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2-H5-ND
别名:SP000013795
SPB80N06S2H5T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPP80N06S2-H5-ND
别名:SP000014000
SPP80N06S2H5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-H5
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SP000218155
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MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N04S3-02
仓库库存编号:
IPB120N04S3-02CT-ND
别名:IPB120N04S3-02CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA,
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