产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB038N12N3 G
仓库库存编号:
IPB038N12N3 GCT-ND
别名:IPB038N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB072N15N3 G
仓库库存编号:
IPB072N15N3 GCT-ND
别名:IPB072N15N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB64N25S320ATMA1
仓库库存编号:
IPB64N25S320ATMA1CT-ND
别名:IPB64N25S320ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB036N12N3 G
仓库库存编号:
IPB036N12N3 GCT-ND
别名:IPB036N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB065N15N3 G
仓库库存编号:
IPB065N15N3 GCT-ND
别名:IPB065N15N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB107N20N3 G
仓库库存编号:
IPB107N20N3 GCT-ND
别名:IPB107N20N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB107N20NA
仓库库存编号:
IPB107N20NACT-ND
别名:IPB107N20NACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP120N20NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N20NFDAKSA1-ND
别名:SP001108122
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20N3 G
仓库库存编号:
IPP110N20N3 G-ND
别名:IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP200N25N3 G
仓库库存编号:
IPP200N25N3 G-ND
别名:IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20NA
仓库库存编号:
IPP110N20NA-ND
别名:IPP110N20NAAKSA1
SP000877672
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP041N12N3 G
仓库库存编号:
IPP041N12N3 G-ND
别名:IPP041N12N3G
IPP041N12N3GXKSA1
SP000652746
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 61A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP220N25NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP220N25NFDAKSA1-ND
别名:SP001108126
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPA075N15N3 G
仓库库存编号:
IPA075N15N3 G-ND
别名:IPA075N15N3G
IPA075N15N3GXKSA1
SP000607018
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI075N15N3GXKSA1-ND
别名:SP000680676
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) TO-263-3
型号:
IPB117N20NFDATMA1
仓库库存编号:
IPB117N20NFDATMA1CT-ND
别名:IPB117N20NFDATMA1-ND
IPB117N20NFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N25N3 G
仓库库存编号:
IPB200N25N3 GCT-ND
别名:IPB200N25N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 155A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT059N15N3ATMA1
仓库库存编号:
IPT059N15N3ATMA1CT-ND
别名:IPT059N15N3ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI041N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI041N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI041N12N3 G
IPI041N12N3 G-ND
IPI041N12N3G
SP000652748
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA,
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