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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
  
  型号：DMN1019USN-13
  仓库库存编号：DMN1019USN-13DICT-ND
  别名：DMN1019USN-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 500mW（Tc） SOT-323
  
  型号：SI1317DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1317DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1317DL-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 690mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN1019UFDE-7
  仓库库存编号：DMN1019UFDE-7DICT-ND
  别名：DMN1019UFDE-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA436DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA436DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA436DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Tc） 400mW（Tc） SOT-323
  
  型号：SI1315DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1315DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1315DL-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8824EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8824EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8824EDB-T2-E1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA427ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA427ADJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA427DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA427DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA427DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2329DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2329DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2329DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1499DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1499DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1499DH-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.7A（Tc） 2.77W（Ta），6.25W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8429DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8429DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8429DB-T1-E1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8483DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8483DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8483DB-T2-E1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1499DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1499DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1499DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM250N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM250N02CX RFGTR-ND
  别名：TSM250N02CX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM250N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM250N02CX RFGCT-ND
  别名：TSM250N02CX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM250N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM250N02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM250N02CX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 9A（Tc） 2.5W（Ta），13W（Tc）
  
  型号：SIB404DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB404DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB404DK-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：AO7404
  仓库库存编号：785-1086-1-ND
  别名：785-1086-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 670mW（Ta） X2-WLB0808-4
  
  型号：DMP1100UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1100UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1100UCB4-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
  
  型号：DMN1019USN-7
  仓库库存编号：DMN1019USN-7DICT-ND
  别名：DMN1019USN-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1011X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1011X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1011X-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG
  详细描述：表面贴装 P 沟道 660mA 150mW SOT-723
  
  型号：SI3139K-TP
  仓库库存编号：SI3139K-TPMSCT-ND
  别名：SI3139K-TPMSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2342DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2342DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2342DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 780mW（Ta），1.8W（Tc）
  
  型号：SI8469DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8469DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8469DB-T2-E1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8424CDB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8424CDB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8424CDB-T1-E1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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