产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage (15)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta) 1.6W(Ta),21W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH11003NL,LQ
仓库库存编号:
TPH11003NLLQCT-ND
别名:TPH11003NLLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN8R903NL,LQ
仓库库存编号:
TPN8R903NLLQCT-ND
别名:TPN8R903NLLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 1W(Tc) 8-SOP
型号:
TP89R103NL,LQ
仓库库存编号:
TP89R103NLLQCT-ND
别名:TP89R103NLLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN11003NL,LQ
仓库库存编号:
TPN11003NLLQCT-ND
别名:TPN11003NLLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8067-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8067-HLQ(S-ND
别名:TPC8067-HLQ(S
TPC8067HLQS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8066-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8066-HLQ(S-ND
别名:TPC8066-HLQ(S
TPC8066HLQS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 27W(Tc) DPAK
型号:
TK20P04M1,RQ(S
仓库库存编号:
TK20P04M1RQ(S-ND
别名:TK20P04M1RQ(S
TK20P04M1RQS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K106TU(TE85L)
仓库库存编号:
SSM3K106TU(TE85L)CT-ND
别名:SSM3K106TU(TE85L)CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DP
型号:
TK40P03M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RSS-Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DPAK
型号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
别名:TK40P03M1T6RDSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 5.3A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6009-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6009-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 100μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 700mW(Ta),17W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8066-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8066-HLQ(S-ND
别名:TPCC8066-HLQ(S
TPCC8066HLQS
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MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 700mW(Ta),15W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8067-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8067-HLQ(S-ND
别名:TPCC8067-HLQ(S
TPCC8067HLQS
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