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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD068P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD068P03L3GATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L-07
  仓库库存编号：IPP80N06S2L-07-ND
  别名：IPP80N06S2L07
  IPP80N06S2L07AKSA1
  SP000218831
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L07AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L07AKSA2-ND
  别名：SP001067894
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L07ATMA3
  仓库库存编号：IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
  别名：IPB80N06S2L07ATMA3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP070N06L G
  仓库库存编号：IPP070N06LGIN-ND
  别名：IPP070N06L G-ND
  IPP070N06LGIN
  IPP070N06LGX
  IPP070N06LGXK
  SP000204171
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-07-ND
  别名：SP000016357
  SPB80N06S2L07T
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-07-ND
  别名：SP000012823
  SPP80N06S2L07
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB070N06L G
  仓库库存编号：IPB070N06LGINCT-ND
  别名：IPB070N06LG
  IPB070N06LGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-07
  IPB80N06S2L-07-ND
  SP000218867
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068P03L3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD068P03L3 GCT
  IPD068P03L3 GCT-ND
  IPD068P03L3GBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 150μA,
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