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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），34A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7522E
  仓库库存编号：785-1505-1-ND
  别名：785-1505-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），32A（Tc） 3.1W（Ta），62.5W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7508
  仓库库存编号：785-1504-1-ND
  别名：785-1504-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7528
  仓库库存编号：785-1506-1-ND
  别名：785-1506-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 46A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7418
  仓库库存编号：785-1308-1-ND
  别名：785-1308-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17551Q5A
  仓库库存编号：296-30612-1-ND
  别名：296-30612-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4156DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4156DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4156DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6416ANLT4G
  仓库库存编号：NTD6416ANLT4GOSCT-ND
  别名：NTD6416ANLT4GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16406Q3
  仓库库存编号：296-24251-1-ND
  别名：296-24251-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102LZ
  仓库库存编号：FDMC86102LZCT-ND
  别名：FDMC86102LZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS402DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS402DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS402DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD17NF03L-1
  仓库库存编号：497-15726-5-ND
  别名：497-15726-5
  STD17NF03L-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18502Q5B
  仓库库存编号：296-35629-1-ND
  别名：296-35629-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18509Q5BT
  仓库库存编号：296-37962-1-ND
  别名：296-37962-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN3051L-7
  仓库库存编号：DMN3051LDICT-ND
  别名：DMN3051LDICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7534
  仓库库存编号：785-1604-1-ND
  别名：785-1604-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4576
  仓库库存编号：785-1465-1-ND
  别名：785-1465-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta），48A（Tc） 920mW（Ta），23.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4925NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4925NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4925NT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ130N03LS G
  仓库库存编号：BSZ130N03LSGINCT-ND
  别名：BSZ130N03LSGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA14DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA14DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA14DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4447DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4447DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4447DY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 42A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6358
  仓库库存编号：785-1739-1-ND
  别名：785-1739-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），79A（Tc） 850mW（Ta），43W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4932NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4932NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4932NTAGOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4174DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4174DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4174DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC050N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC050N03LSGINCT
  BSC050N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C08NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4C08NTAGOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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