产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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EPC
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2036
仓库库存编号:
917-1100-1-ND
别名:917-1100-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2014C
仓库库存编号:
917-1082-1-ND
别名:917-1082-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Tj) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2625K4-G
仓库库存编号:
DN2625K4-GCT-ND
别名:DN2625K4-GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2007C
仓库库存编号:
917-1081-1-ND
别名:917-1081-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 模具剖面(4 焊条)
型号:
EPC2012C
仓库库存编号:
917-1084-1-ND
别名:917-1084-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 模具
型号:
EPC2019
仓库库存编号:
917-1087-1-ND
别名:917-1087-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Ta) 模具
型号:
EPC2015C
仓库库存编号:
917-1083-1-ND
别名:917-1083-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8004
仓库库存编号:
917-1072-1-ND
别名:917-1072-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2001C
仓库库存编号:
917-1079-1-ND
别名:917-1079-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8009
仓库库存编号:
917-1078-1-ND
别名:917-1078-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8010
仓库库存编号:
917-1086-1-ND
别名:917-1086-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2001
仓库库存编号:
917-1014-1-ND
别名:917-1014-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2001
仓库库存编号:
917-1014-6-ND
别名:917-1014-6
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 模具剖面(7 焊条)
型号:
EPC2010C
仓库库存编号:
917-1085-1-ND
别名:917-1085-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 60V 31A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2031ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2031ENGRCT-ND
别名:917-EPC2031ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2029
仓库库存编号:
917-1107-1-ND
别名:917-1107-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2032
仓库库存编号:
917-1126-1-ND
别名:917-1126-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Ta) 模具
型号:
EPC2021
仓库库存编号:
917-1089-1-ND
别名:917-1089-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2022
仓库库存编号:
917-1133-1-ND
别名:917-1133-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2034
仓库库存编号:
917-1132-1-ND
别名:917-1132-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
详细描述:底座安装 N 沟道 1220A(Tc) Y3-Li
型号:
VMO1200-01F
仓库库存编号:
VMO1200-01F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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EPC
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2035
仓库库存编号:
917-1099-1-ND
别名:917-1099-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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EPC
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 模具
型号:
EPC2038
仓库库存编号:
917-1138-1-ND
别名:917-1138-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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EPC
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta)
型号:
EPC2037
仓库库存编号:
917-1137-1-ND
别名:917-1137-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2037ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2037ENGRCT-ND
别名:917-EPC2037ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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