产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K1CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K1CEBKMA1-ND
别名:SP001276064
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 22W(Tc) TO-220F-3
型号:
FDPF390N15A
仓库库存编号:
FDPF390N15A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606040
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 22W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL3N65M2
仓库库存编号:
STL3N65M2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K4P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K4P7AKMA1-ND
别名:SP001644612
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R2K4P7AKMA1-ND
别名:SP001644624
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606068
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 22W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 22W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS614B_FP001
仓库库存编号:
IRFS614B_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 22W(Tc),
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