产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc. (14)
NXP USA Inc. (6)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP054N10
仓库库存编号:
FDP054N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK662R4-40C,118
仓库库存编号:
1727-5519-1-ND
别名:1727-5519-1
568-6998-1
568-6998-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK768R1-100E,118
仓库库存编号:
1727-1062-1-ND
别名:1727-1062-1
568-10171-1
568-10171-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tj) 263W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN8R5-100ESQ
仓库库存编号:
1727-1054-ND
别名:1727-1054
568-10161-5
568-10161-5-ND
934067378127
PSMN8R5100ESQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SOT78
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R9-60PSQ
仓库库存编号:
1727-1133-ND
别名:1727-1133
568-10288-5
568-10288-5-ND
934067464127
PSMN3R9-60PSQ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tj) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN8R5-100PSQ
仓库库存编号:
1727-1053-ND
别名:1727-1053
568-10160-5
568-10160-5-ND
934067376127
PSMN8R5100PSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP045N10A_F102
仓库库存编号:
FDP045N10A_F102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220
型号:
FDP032N08B_F102
仓库库存编号:
FDP032N08B_F102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) I2PAK
型号:
FDI045N10A_F102
仓库库存编号:
FDI045N10A_F102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R2-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1059-ND
别名:1727-1059
568-10167-5
568-10167-5-ND
934067502127
PSMN4R260PLQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R8-75C,118
仓库库存编号:
1727-5527-1-ND
别名:1727-5527-1
568-7006-1
568-7006-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R9-60E,118
仓库库存编号:
1727-1066-1-ND
别名:1727-1066-1
568-10176-1
568-10176-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1065-1-ND
别名:1727-1065-1
568-10175-1
568-10175-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK661R8-30C,118
仓库库存编号:
1727-5517-1-ND
别名:1727-5517-1
568-6996-1
568-6996-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK969R3-100E,118
仓库库存编号:
1727-1064-1-ND
别名:1727-1064-1
568-10174-1
568-10174-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1095-1-ND
别名:1727-1095-1
568-10250-1
568-10250-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R2-60E,118
仓库库存编号:
1727-1100-1-ND
别名:1727-1100-1
568-10255-1
568-10255-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R6-40C,127
仓库库存编号:
568-7493-5-ND
别名:568-7493-5
934064249127
BUK652R6-40C,127-ND
BUK652R640C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R1-30C,127
仓库库存编号:
568-7491-5-ND
别名:568-7491-5
934064241127
BUK652R1-30C,127-ND
BUK652R130C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 263W(Tc) I2PAK
型号:
FDI045N10A
仓库库存编号:
FDI045N10A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP045N10A
仓库库存编号:
FDP045N10A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 263W(Tc) TO-247-3
型号:
PHW80NQ10T,127
仓库库存编号:
PHW80NQ10T,127-ND
别名:934055695127
PHW80NQ10T
PHW80NQ10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R5-55C,127
仓库库存编号:
568-7497-5-ND
别名:568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK655R0-75C,127
仓库库存编号:
568-7502-5-ND
别名:568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK663R5-55C,118
仓库库存编号:
1727-5523-1-ND
别名:1727-5523-1
568-7002-1
568-7002-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 263W(Tc),
含铅
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