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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080132
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422724
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422758
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R280P7ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 101A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 101A（Tc） 101W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C446NT4G
  仓库库存编号：NVD5C446NT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C446NT4GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R125C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R125C7ATMA1-ND
  别名：SP001080134
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080138
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 101W（Tc）,
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