产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080132
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422724
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R280P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 18A(Ta) 101W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R125C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R125C7ATMA1-ND
别名:SP001080134
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080138
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 101W(Tc),
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