产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc. (7)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX7002BKR
仓库库存编号:
1727-2663-1-ND
别名:1727-2663-1
568-13168-1
568-13168-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 410mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ1200UPEYL
仓库库存编号:
1727-2315-1-ND
别名:1727-2315-1
568-12601-1
568-12601-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 410mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB1200UPEYL
仓库库存编号:
1727-2325-1-ND
别名:1727-2325-1
568-12611-1
568-12611-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) SOT-323-3
型号:
NX7002BKWX
仓库库存编号:
568-13170-1-ND
别名:568-13170-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 590mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB550UNEYL
仓库库存编号:
1727-2331-1-ND
别名:1727-2331-1
568-12617-1
568-12617-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) 6-TSSOP
型号:
NX7002BKSX
仓库库存编号:
1727-2664-1-ND
别名:1727-2664-1
568-13169-1
568-13169-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 590mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ550UNEYL
仓库库存编号:
1727-2322-1-ND
别名:1727-2322-1
568-12608-1
568-12608-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 310mW(Ta), 1.67W(Tc),
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