产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） TO-236（SOT-23）
型号：
SQ2309ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2309ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23（TO-236AB）
型号：
SQ2308CES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2308CES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT7N10LTF
仓库库存编号：
FQT7N10LTFCT-ND
别名：FQT7N10LTFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2W（Tc） TO-236
型号：
SQ2310ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2310ES-T1-GE3CT
SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
SQ2310ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SQ2315ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2315ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
型号：
SQ2361AEES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2361AEES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
型号：
NDT02N40T1G
仓库库存编号：
NDT02N40T1GOSCT-ND
别名：NDT02N40T1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） 8-SO
型号：
STS1NK60Z
仓库库存编号：
497-12798-1-ND
别名：497-12798-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FDT3N40TF
仓库库存编号：
FDT3N40TFCT-ND
别名：FDT3N40TFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
型号：
TSM1N45CT A3G
仓库库存编号：
TSM1N45CT A3GTB-ND
别名：TSM1N45CT A3GTB
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
型号：
TSM1N45CT A3G
仓库库存编号：
TSM1N45CT A3GCT-ND
别名：TSM1N45CT A3GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SQ2351ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2351ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT5P10TF
仓库库存编号：
FQT5P10TFCT-ND
别名：FQT5P10TFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
型号：
SQ2361ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2361ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
型号：
RS3E095BNGZETB
仓库库存编号：
RS3E095BNGZETBCT-ND
别名：RS3E095BNGZETBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.13A（Ta） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
IRLM220ATF
仓库库存编号：
IRLM220ATFCT-ND
别名：IRLM220ATFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
型号：
STS4DNFS30
仓库库存编号：
497-6187-1-ND
别名：497-6187-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT7N10TF
仓库库存编号：
FQT7N10TFCT-ND
别名：FQT7N10TFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Tc） HUML2020L8
型号：
RF4E100AJTCR
仓库库存编号：
RF4E100AJTCRCT-ND
别名：RF4E100AJTCRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 13.5A MIDDLE POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
型号：
RS3E135BNGZETB
仓库库存编号：
RS3E135BNGZETBCT-ND
别名：RS3E135BNGZETBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
型号：
TSM1N45CT A3G
仓库库存编号：
TSM1N45CT A3G-ND
别名：TSM1N45CT B0G
TSM1N45CT B0G-ND
TSM1N45CT B0GTR
TSM1N45CT B0GTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
型号：
NDTL01N60ZT3G
仓库库存编号：
NDTL01N60ZT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
型号：
NDTL01N60ZT1G
仓库库存编号：
NDTL01N60ZT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SQ2398ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2398ES-T1_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
型号：
NDT03N40ZT3G
仓库库存编号：
NDT03N40ZT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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