产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 27.7W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA58DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 27.7W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJA58DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 27.7W(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS780DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS780DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 27.7W(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 110V 7.5A(Tc) 27.7W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX8NQ11T,127
仓库库存编号:
PHX8NQ11T,127-ND
别名:934058496127
PHX8NQ11T
PHX8NQ11T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 27.7W(Tc),
无铅
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