产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. (10)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N60
仓库库存编号:
785-1181-1-ND
别名:785-1181-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2N60
仓库库存编号:
785-1180-1-ND
别名:785-1180-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 56.8W(Tc) D-Pak
型号:
FDD770N15A
仓库库存编号:
FDD770N15ACT-ND
别名:FDD770N15ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4S60
仓库库存编号:
785-1265-1-ND
别名:785-1265-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R650P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA72DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA72DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N60
仓库库存编号:
785-1182-5-ND
别名:785-1182-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60
仓库库存编号:
AOU2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2N60
仓库库存编号:
AOI2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4S60
仓库库存编号:
AOI4S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU4S60
仓库库存编号:
AOU4S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R650C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R650C6SATMA1-ND
别名:SP001163082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60_001
仓库库存编号:
AOU2N60_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N60_001
仓库库存编号:
AOU3N60_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 24.8A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 110V 24.8A(Tc) 56.8W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX34NQ11T,127
仓库库存编号:
PHX34NQ11T,127-ND
别名:934058495127
PHX34NQ11T
PHX34NQ11T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 56.8W(Tc),
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