产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD3055LESM9A
仓库库存编号:
RFD3055LESM9ACT-ND
别名:RFD3055LESM9ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF44N25T
仓库库存编号:
FDPF44N25T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF51N25
仓库库存编号:
FDPF51N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024NPBFCT-ND
别名:*IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) TO-251AA
型号:
RFD3055LE
仓库库存编号:
RFD3055LE-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N20C
仓库库存编号:
FQPF10N20CFS-ND
别名:FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76407D3ST
仓库库存编号:
HUF76407D3STFSCT-ND
别名:HUF76407D3STFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024NPBF
仓库库存编号:
IRFU9024NPBF-ND
别名:*IRFU9024NPBF
SP001557756
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 22.5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF30N06L
仓库库存编号:
FQPF30N06L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N60NZ
仓库库存编号:
FDPF10N60NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 4A 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 38W(Tc) DPAK
型号:
CDM4-600LR TR13
仓库库存编号:
CDM4-600LR TR13CT-ND
别名:CDM4-600LR TR13CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 38W(Tc) TO-220F(LG 成形)
型号:
FDPF44N25TRDTU
仓库库存编号:
FDPF44N25TRDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF51N25YDTU
仓库库存编号:
FDPF51N25YDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Tc) 38W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN013-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7138-1-ND
别名:1727-7138-1
568-9571-1
568-9571-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 38W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ900N15NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25C
仓库库存编号:
FQPF9N25C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF5N50CYDTU
仓库库存编号:
FQPF5N50CYDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA057N06N3 G
仓库库存编号:
IPA057N06N3 G-ND
别名:IPA057N06N3G
IPA057N06N3GXKSA1
SP000457582
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 8500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 38W(Tc) TO-220
型号:
IXFP14N85XM
仓库库存编号:
IXFP14N85XM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 3.4A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P20
仓库库存编号:
FQPF5P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF630
仓库库存编号:
FQPF630-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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