产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60CTM
仓库库存编号:
FQD1N60CTMCT-ND
别名:FQD1N60CTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Ta),58A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050NE2LS
仓库库存编号:
BSC050NE2LSCT-ND
别名:BSC050NE2LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),57A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03LS
仓库库存编号:
BSC052N03LSCT-ND
别名:BSC052N03LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N06LTU
仓库库存编号:
FQU13N06LTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N06LTU_WS
仓库库存编号:
FQU13N06LTU_WS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N60CTU
仓库库存编号:
FQU1N60CTUFS-ND
别名:FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06LTM
仓库库存编号:
FQD13N06LTMCT-ND
别名:FQD13N06LTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TM
仓库库存编号:
FQD7P06TMCT-ND
别名:FQD7P06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06TM
仓库库存编号:
FQD13N06TMCT-ND
别名:FQD13N06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900mA(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
SSU1N60BTU_WS
仓库库存编号:
SSU1N60BTU_WS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
SSR1N60BTM_WS
仓库库存编号:
SSR1N60BTM_WS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7P06TU
仓库库存编号:
FQU7P06TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06LTF
仓库库存编号:
FQD13N06LTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N06TU
仓库库存编号:
FQU13N06TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60CTF
仓库库存编号:
FQD1N60CTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06TF
仓库库存编号:
FQD13N06TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TF
仓库库存编号:
FQD7P06TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TM_NB82050
仓库库存编号:
FQD7P06TM_NB82050-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7P06TU_NB82048
仓库库存编号:
FQU7P06TU_NB82048-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TM_F080
仓库库存编号:
FQD7P06TM_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 900mA(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
SSR1N60BTM
仓库库存编号:
SSR1N60BTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 900mA(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
SSR1N60BTM_F080
仓库库存编号:
SSR1N60BTM_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),45A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc),
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