产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 7.1W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4080EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4080EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4080EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 7.1W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.7A
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.7A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4840EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4840EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4840EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 7.1W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4470EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4470EY-T1_GE3-ND
别名:SQ4470EY-T1-GE3
SQ4470EY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 7.1W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 25A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4153EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4153EY-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 7.1W(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4182EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4182EY-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 7.1W(Tc),
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