产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
ON Semiconductor (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C646NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C646NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C646NLT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C645NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C645NLAFT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C645NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C645NLAFT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C645NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C645NLT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C645NLT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C645NLT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLAFT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C645NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C645NLT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLWFT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLWFAFT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLAFT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLWFT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLWFAFT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）,
无铅
搜索
1
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
