产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.7A(Tc) 89W(Tc) DPAK
型号:
BUK7275-100A,118
仓库库存编号:
1727-7159-1-ND
别名:1727-7159-1
568-9642-1
568-9642-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN5R8-40YS,115
仓库库存编号:
1727-4634-1-ND
别名:1727-4634-1
568-5594-1
568-5594-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4288-1-ND
别名:1727-4288-1
568-4977-1
568-4977-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN018-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4627-1-ND
别名:1727-4627-1
568-5582-1
568-5582-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TM_WS
仓库库存编号:
FDD6N50TM_WSCT-ND
别名:FDD6N50TM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD18N20LZ
仓库库存编号:
FDD18N20LZCT-ND
别名:FDD18N20LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FCD600N60Z
仓库库存编号:
FCD600N60ZCT-ND
别名:FCD600N60ZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50FTM
仓库库存编号:
FDD6N50FTMCT-ND
别名:FDD6N50FTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 10A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ10N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ10N60E-T1-GE3-ND
别名:SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 89W(Tc) I-Pak
型号:
FDU6N50TU
仓库库存编号:
FDU6N50TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD7S65
仓库库存编号:
785-1537-1-ND
别名:785-1537-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FCD620N60ZF
仓库库存编号:
FCD620N60ZFCT-ND
别名:FCD620N60ZFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF600N60Z
仓库库存编号:
FCPF600N60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 89W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N50
仓库库存编号:
FDP7N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220
型号:
FCP600N60Z
仓库库存编号:
FCP600N60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN028-100YS,115
仓库库存编号:
1727-5226-1-ND
别名:1727-5226-1
568-6543-1
568-6543-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 108A(Tc) 89W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM045NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM045NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM045NA03CR RLGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 108A(Tc) 89W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM045NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM045NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM045NA03CR RLGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 108A(Tc) 89W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM045NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM045NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM045NA03CR RLGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ8N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ8N60E-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220
型号:
TSM9N90ECZ C0G
仓库库存编号:
TSM9N90ECZ C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 89W(Tc) ITO-220
型号:
TSM9N90ECI C0G
仓库库存编号:
TSM9N90ECI C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3C60
仓库库存编号:
AOD3C60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 89W(Tc) TO-251A
型号:
AOI7S65
仓库库存编号:
AOI7S65-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 48A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR871DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR871DP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 89W(Tc),
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