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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 72.8A（Tc） 543W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH76N60NF
  仓库库存编号：FCH76N60NF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 543W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH76N60N
  仓库库存编号：FCH76N60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU2
  仓库库存编号：APT58M50JU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N100P
  仓库库存编号：IXFH15N100P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N120P
  仓库库存编号：IXFH12N120P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 76A（Tc） 543W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA76N60N
  仓库库存编号：FCA76N60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 40A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA40SA50LC
  仓库库存编号：VS-FA40SA50LC-ND
  别名：VSFA40SA50LC
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU3
  仓库库存编号：APT58M50JU3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JCU2
  仓库库存编号：APT58M50JCU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT32M80J
  仓库库存编号：APT32M80J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU2
  仓库库存编号：APT26M100JCU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU3
  仓库库存编号：APT26M100JCU3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M120JCU2
  仓库库存编号：APT20M120JCU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M120JCU3
  仓库库存编号：APT20M120JCU3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT29F80J
  仓库库存编号：APT29F80J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N120P
  仓库库存编号：IXFV12N120P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N120PS
  仓库库存编号：IXFV12N120PS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV15N100P
  仓库库存编号：IXFV15N100P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 15A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV15N100PS
  仓库库存编号：IXFV15N100PS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 543W（Tc）,
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