产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM
仓库库存编号:
FQD5P20TMCT-ND
别名:FQD5P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5N40TU
仓库库存编号:
FQU5N40TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P25TM_WS
仓库库存编号:
FQD4P25TM_WSCT-ND
别名:FQD4P25TM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N25TM
仓库库存编号:
FQD6N25TMFSCT-ND
别名:FQD6N25TMFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N80TM
仓库库存编号:
FQD1N80TMCT-ND
别名:FQD1N80TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5P20TU
仓库库存编号:
FQU5P20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N80TU
仓库库存编号:
FQU1N80TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU4N50TU_WS
仓库库存编号:
FQU4N50TU_WS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N20LTM
仓库库存编号:
FQD7N20LTMCT-ND
别名:FQD7N20LTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P25TF
仓库库存编号:
FQD4P25TF-ND
别名:Q1585607A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N25TU
仓库库存编号:
FQU6N25TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N20LTF
仓库库存编号:
FQD7N20LTF-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.3A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N20TF
仓库库存编号:
FQD7N20TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 250V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU4P25TU
仓库库存编号:
FQU4P25TU-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N25TF
仓库库存编号:
FQD6N25TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.3A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N20TM
仓库库存编号:
FQD7N20TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TF
仓库库存编号:
FQD5P20TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N80TF
仓库库存编号:
FQD1N80TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N40TM
仓库库存编号:
FQD5N40TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc),
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MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.3A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7N20TU
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N30TM
仓库库存编号:
FQD5N30TM-ND
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MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
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FQD5N30TF
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