产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 18A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ033NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
别名:SP001288158
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ031NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ031NE2LS5ATMA1-ND
别名:SP001385378
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4136
仓库库存编号:
AOD4136-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 12A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 12A(Ta),44A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1432A
仓库库存编号:
AOL1432A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) TO-252-3
型号:
AOD4136L
仓库库存编号:
AOD4136L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc),
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