产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 33.8W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ42DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
别名:BSZ42DN25NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF3860T
仓库库存编号:
FDPF3860T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220
型号:
TSM60NB190CZ C0G
仓库库存编号:
TSM60NB190CZ C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF6N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF6N60ZUT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 33.8W(Tc) ITO-220
型号:
TSM60NB190CI C0G
仓库库存编号:
TSM60NB190CI C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF13N60NT
仓库库存编号:
FCPF13N60NT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF3860TYDTU
仓库库存编号:
FDPF3860TYDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 33.8W(Tc),
无铅
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