产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL540NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20D
仓库库存编号:
IRFS17N20D-ND
别名:*IRFS17N20D
SP001557226
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N20D
仓库库存编号:
IRFB17N20D-ND
别名:*IRFB17N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20D
仓库库存编号:
IRFSL17N20D-ND
别名:*IRFSL17N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRL540NL
仓库库存编号:
IRL540NL-ND
别名:*IRL540NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRF9540NL
仓库库存编号:
IRF9540NL-ND
别名:*IRF9540NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540NSTRR
仓库库存编号:
IRF9540NSTRR-ND
别名:SP001555904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3418PBF
仓库库存编号:
IRFU3418PBF-ND
别名:*IRFU3418PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRL540NLPBF
仓库库存编号:
IRL540NLPBF-ND
别名:*IRL540NLPBF
SP001558070
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFS17N20DPBF-ND
别名:*IRFS17N20DPBF
SP001567586
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFSL17N20DPBF-ND
别名:*IRFSL17N20DPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRL
仓库库存编号:
IRL540NSTRLCT-ND
别名:IRL540NSTRLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418PBF
仓库库存编号:
IRFR3418PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRRP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRRP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRLP-ND
别名:SP001578336
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
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MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc),
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