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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y3R5-40E,115
  仓库库存编号：1727-1804-1-ND
  别名：1727-1804-1
  568-11418-1
  568-11418-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9209-40B,118
  仓库库存编号：1727-5257-1-ND
  别名：1727-5257-1
  568-6582-1
  568-6582-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN5R6-60YLX
  仓库库存编号：1727-2596-1-ND
  别名：1727-2596-1
  568-13047-1
  568-13047-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y7R2-60E,115
  仓库库存编号：1727-1814-1-ND
  别名：1727-1814-1
  568-11428-1
  568-11428-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9212-55B,118
  仓库库存编号：1727-5258-1-ND
  别名：1727-5258-1
  568-6583-1
  568-6583-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9217-75B,118
  仓库库存编号：1727-4707-1-ND
  别名：1727-4707-1
  568-5857-1
  568-5857-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB034N06L3 G
  仓库库存编号：IPB034N06L3 GCT-ND
  别名：IPB034N06L3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N04S4H1ATMA1CT-ND
  别名：IPB160N04S4H1ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N65APBF
  仓库库存编号：IRFB9N65APBF-ND
  别名：*IRFB9N65APBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN019-100YLX
  仓库库存编号：1727-2592-1-ND
  别名：1727-2592-1
  568-13043-1
  568-13043-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y3R5-40E,115
  仓库库存编号：1727-1811-1-ND
  别名：1727-1811-1
  568-11425-1
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  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y19-100E,115
  仓库库存编号：1727-1855-1-ND
  别名：1727-1855-1
  568-11546-1
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  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7208-40B,118
  仓库库存编号：1727-5245-1-ND
  别名：1727-5245-1
  568-6569-1
  568-6569-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7210-55B,118
  仓库库存编号：1727-4695-1-ND
  别名：1727-4695-1
  568-5843-1
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  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9207-30B,118
  仓库库存编号：1727-5256-1-ND
  别名：1727-5256-1
  568-6581-1
  568-6581-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7212-55B,118
  仓库库存编号：1727-5246-1-ND
  别名：1727-5246-1
  568-6570-1
  568-6570-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP16N60
  仓库库存编号：FCP16N60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：STD110N8F6
  仓库库存编号：497-16032-1-ND
  别名：497-16032-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9230-100B,118
  仓库库存编号：1727-4708-1-ND
  别名：1727-4708-1
  568-5858-1
  568-5858-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7227-100B,118
  仓库库存编号：1727-4697-1-ND
  别名：1727-4697-1
  568-5845-1
  568-5845-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP6N90C
  仓库库存编号：FQP6N90C-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80C
  仓库库存编号：FQP7N80C-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6412ANG
  仓库库存编号：NTP6412ANGOS-ND
  别名：NTP6412ANG-ND
  NTP6412ANGOS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM100N06CZ C0G
  仓库库存编号：TSM100N06CZ C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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