产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP77N06S212AKSA2
仓库库存编号:
IPP77N06S212AKSA2-ND
别名:SP001061292
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S402ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L11AKSA2-ND
别名:SP001061296
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L11ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L11ATMA2-ND
别名:SP001061398
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA2
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA2-ND
别名:SP001061294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S2L11AKSA2-ND
别名:SP001061396
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S4L02ATMA1-ND
别名:SP000979924
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S402AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-02
IPI120N04S4-02-ND
SP000764742
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06NGAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06NGAKSA1-ND
别名:IPP120N06N G
IPP120N06N G-ND
IPP120N06NGIN
IPP120N06NGIN-ND
IPP120N06NGX
IPP120N06NGXK
SP000204175
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB77N06S2-12
仓库库存编号:
SPB77N06S2-12-ND
别名:SP000013587
SPB77N06S212T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-11-ND
别名:SP000013586
SPB80N06S2L11T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-11-ND
别名:SP000029960
SPI80N06S2L11
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP77N06S2-12
仓库库存编号:
SPP77N06S2-12-ND
别名:SP000013588
SPP77N06S212
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-11-ND
别名:SP000013584
SPP80N06S2L11
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 78A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB110N06L G
仓库库存编号:
IPB110N06LGINCT-ND
别名:IPB110N06LG
IPB110N06LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N06N G
仓库库存编号:
IPB120N06NGINCT-ND
别名:IPB120N06NG
IPB120N06NGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名:IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11-ND
SP000218177
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L11AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-11
IPI80N06S2L-11-ND
SP000218176
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP77N06S212AKSA1
仓库库存编号:
IPP77N06S212AKSA1-ND
别名:IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12-ND
SP000218172
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L11AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11-ND
SP000218175
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S402AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-02
IPP120N04S4-02-ND
SP000764734
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 158W(Tc),
无铅
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