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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18503Q5A
  仓库库存编号：296-30571-1-ND
  别名：296-30571-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709SPBF
  仓库库存编号：IRF3709SPBF-ND
  别名：*IRF3709SPBF
  SP001571378
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709PBF
  仓库库存编号：IRF3709PBF-ND
  别名：*IRF3709PBF
  SP001570060
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRLPBF-ND
  别名：SP001559576
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709S
  仓库库存编号：IRF3709S-ND
  别名：*IRF3709S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711S
  仓库库存编号：IRF3711S-ND
  别名：*IRF3711S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709L
  仓库库存编号：IRF3709L-ND
  别名：*IRF3709L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3711
  仓库库存编号：IRF3711-ND
  别名：*IRF3711
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3711L
  仓库库存编号：IRF3711L-ND
  别名：*IRF3711L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709
  仓库库存编号：IRF3709-ND
  别名：*IRF3709
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRL
  仓库库存编号：IRF3709STRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRR
  仓库库存编号：IRF3709STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRL
  仓库库存编号：IRF3711STRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRR
  仓库库存编号：IRF3711STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3711PBF
  仓库库存编号：IRF3711PBF-ND
  别名：*IRF3711PBF
  SP001561720
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3711LPBF
  仓库库存编号：IRF3711LPBF-ND
  别名：*IRF3711LPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709LPBF
  仓库库存编号：IRF3709LPBF-ND
  别名：*IRF3709LPBF
  SP001561748
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3711STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3711STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRRPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）,
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