产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ402EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ402EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ402EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7S60
仓库库存编号：
785-1266-1-ND
别名：785-1266-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ488EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ488EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ461EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ461EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 83W（Tc）
型号：
SQJ422EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ422EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
FCD7N60TM
仓库库存编号：
FCD7N60TMCT-ND
别名：FCD7N60TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD06N80C3ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ431EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号：
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名：IPD60R385CPATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） TO-247-4L
型号：
C3M0120100K
仓库库存编号：
C3M0120100K-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
FDD5N60NZTM
仓库库存编号：
FDD5N60NZTMCT-ND
别名：FDD5N60NZTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60C3
仓库库存编号：
SPB07N60C3INCT-ND
别名：SPB07N60C3INCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420APBF
仓库库存编号：
IRFR420APBF-ND
别名：*IRFR420APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R380P6ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NC50CP ROGTR-ND
别名：TSM4NC50CP ROGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NC50CP ROGCT-ND
别名：TSM4NC50CP ROGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NC50CP ROGDKR-ND
别名：TSM4NC50CP ROGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM036N03PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM036N03PQ56 RLGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM036N03PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM036N03PQ56 RLGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM036N03PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM036N03PQ56 RLGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB380CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB380CP ROGTR-ND
别名：TSM60NB380CP ROGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB380CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB380CP ROGCT-ND
别名：TSM60NB380CP ROGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB380CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB380CP ROGDKR-ND
别名：TSM60NB380CP ROGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ412EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ412EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
SQJ412EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU420APBF
仓库库存编号：
IRFU420APBF-ND
别名：*IRFU420APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 83W（Tc）,
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