产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (40)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP052N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP052N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP052N06L3 G
IPP052N06L3 G-ND
SP000680802
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N06N3 G
仓库库存编号:
IPB054N06N3 GCT-ND
别名:IPB054N06N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LB G
仓库库存编号:
IPD04N03LBGINCT-ND
别名:IPD04N03LBG
IPD04N03LBGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 114A(Tc) 115W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF7580MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7580MTRPBFCT-ND
别名:IRF7580MTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD03N03LA G
仓库库存编号:
IPD03N03LAGINCT-ND
别名:IPD03N03LAG
IPD03N03LAGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44VPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VPBF-ND
别名:*IRFZ44VPBF
SP001571862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP057N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP057N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP057N06N3 G
IPP057N06N3 G-ND
IPP057N06N3G
SP000680808
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD048N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD048N06L3GBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S4H2ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBFTR-ND
别名:IRLR8103VPBFTR
SP001558514
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBF-ND
别名:SP001567340
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S4H2AKSA1-ND
别名:IPP100N04S4-H2
IPP100N04S4-H2-ND
SP000711278
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N04S4H2AKSA1-ND
别名:IPI100N04S4-H2
IPI100N04S4-H2-ND
SP000711282
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-H4
IPI80N04S3-H4-ND
SP000415630
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-H4
IPP80N04S3-H4-ND
SP000415702
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL8114PBF
仓库库存编号:
IRL8114PBF-ND
别名:64-0104PBF
64-0104PBF-ND
SP001550392
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VS
仓库库存编号:
IRFZ44VS-ND
别名:*IRFZ44VS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VSTRL
仓库库存编号:
IRFZ44VSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44VSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRL
仓库库存编号:
IRLR8103VTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRR
仓库库存编号:
IRLR8103VTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 115W(Tc),
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号