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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9020PBFCT-ND
  别名：*IRFR9020TRPBF
  IRFR9020PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 12A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMN10H170SK3-13
  仓库库存编号：DMN10H170SK3-13DICT-ND
  别名：DMN10H170SK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 9A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMP10H400SK3-13
  仓库库存编号：DMP10H400SK3-13DICT-ND
  别名：DMP10H400SK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R712MD,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R712MDL1QCT-ND
  别名：TPN4R712MDL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta），14A（Tc） 42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD4243
  仓库库存编号：FDD4243CT-ND
  别名：FDD4243CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC2523P
  仓库库存编号：FDMC2523PCT-ND
  别名：FDMC2523PCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA06N120P
  仓库库存编号：IXTA06N120P-ND
  别名：617329
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA17N80C3
  仓库库存编号：SPA17N80C3IN-ND
  别名：SP000216353
  SPA17N80C3IN
  SPA17N80C3X
  SPA17N80C3XK
  SPA17N80C3XKSA1
  SPA17N80C3XTIN
  SPA17N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD090N03LGATMA1CT
  IPD090N03LGINCT
  IPD090N03LGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL G
  仓库库存编号：SPD09P06PL GCT-ND
  别名：SPD09P06PL GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PHXKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PHXKSA1-ND
  别名：SP000446908
  SPP08P06P G
  SPP08P06P G-ND
  SPP08P06P H
  SPP08P06P H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD08P06PGBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA028N08N3 G
  仓库库存编号：IPA028N08N3 G-ND
  别名：IPA028N08N3G
  IPA028N08N3GXKSA1
  SP000446770
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC50N04S55R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
  别名：IPC50N04S55R8ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Tc） 42W（Tc） TO-252-5
  
  型号：FDD850N10LD
  仓库库存编号：FDD850N10LDCT-ND
  别名：FDD850N10LDCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL7N80K5
  仓库库存编号：497-14059-1-ND
  别名：497-14059-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N80K5
  仓库库存编号：497-13778-1-ND
  别名：497-13778-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 42W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN6R1-25MLDX
  仓库库存编号：1727-2504-1-ND
  别名：1727-2504-1
  568-12936-1
  568-12936-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8-33
  
  型号：IPC50N04S5L5R5ATMA1
  仓库库存编号：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
  别名：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9530GPBF
  仓库库存编号：IRFI9530GPBF-ND
  别名：*IRFI9530GPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50T
  仓库库存编号：FDPF12N50T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ34GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ34GPBF-ND
  别名：*IRFIZ34GPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF10N50FT
  仓库库存编号：FDPF10N50FT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI530GPBF
  仓库库存编号：IRLI530GPBF-ND
  别名：*IRLI530GPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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  MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9Z34GPBF
  仓库库存编号：IRFI9Z34GPBF-ND
  别名：*IRFI9Z34GPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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