产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） DPAK
型号：
STD45P4LLF6AG
仓库库存编号：
497-15965-1-ND
别名：497-15965-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50P04P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND
别名：IPD50P04P4L-11CT
IPD50P04P4L-11CT-ND
IPD50P04P4L11ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP45P03P4L11AKSA1
仓库库存编号：
IPP45P03P4L11AKSA1-ND
别名：IPP45P03P4L-11
IPP45P03P4L-11-ND
SP000396382
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 71A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-30YLB,115
仓库库存编号：
1727-7222-1-ND
别名：1727-7222-1
568-9718-1
568-9718-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-25YLB,115
仓库库存编号：
1727-6497-1-ND
别名：1727-6497-1
568-8529-1
568-8529-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名：IPD33CN10NGATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD75N04S406ATMA1
仓库库存编号：
IPD75N04S406ATMA1CT-ND
别名：IPD75N04S406ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI1010NPBF
仓库库存编号：
IRFI1010NPBF-ND
别名：*IRFI1010NPBF
SP001570872
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI3705NPBF
仓库库存编号：
IRLI3705NPBF-ND
别名：*IRLI3705NPBF
SP001576840
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N04S406ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N04S406ATMA1CT-ND
别名：IPB70N04S406ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N04S406AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N04S406AKSA1-ND
别名：IPI70N04S4-06
IPI70N04S4-06-ND
SP000711484
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP20N50P3M
仓库库存编号：
IXFP20N50P3M-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50P04P413ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P04P413ATMA1CT-ND
别名：IPD50P04P413ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 58W（Tc） TO-263
型号：
R6004KNJTL
仓库库存编号：
R6004KNJTLCT-ND
别名：R6004KNJTLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
型号：
TK30S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK30S06K3L(T6L1NQ
TK30S06K3LT6L1NQ
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
型号：
TK35S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK35S04K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK35S04K3L(T6L1NQ
TK35S04K3LT6L1NQ
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名：IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名：SP000396276
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N04S406AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N04S406AKSA1-ND
别名：IPP70N04S4-06
IPP70N04S4-06-ND
SP000711480
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） TO-220
型号：
FDP5690
仓库库存编号：
FDP5690-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB5690
仓库库存编号：
FDB5690CT-ND
别名：FDB5690CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 58W（Tc） I-Pak
型号：
NDD03N50Z-1G
仓库库存编号：
NDD03N50Z-1GOS-ND
别名：NDD03N50Z-1G-ND
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 58W（Tc） DPAK
型号：
NDD03N50ZT4G
仓库库存编号：
NDD03N50ZT4GOSCT-ND
别名：NDD03N50ZT4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB10N03LB
仓库库存编号：
IPB10N03LB-ND
别名：IPB10N03LBT
SP000064220
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB10N03LB G
仓库库存编号：
IPB10N03LB G-ND
别名：IPB10N03LBGXT
SP000103305
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
无铅
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