产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Renesas Electronics America (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PDG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PDG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PLG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 84A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP84N075KUE-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
NP88N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N04NUG-S18-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N055KUG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
别名:NP100P04PLG-E1-AY-ND
NP100P04PLG-E1-AYTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N03KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP88N03KDG-E1-AYCT
NP88N03KDGE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP88N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N04KUG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号