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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 27A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP27P06
  仓库库存编号：FQP27P06-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2908TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR2908TRLPBFCT-ND
  别名：IRLR2908TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP50N06
  仓库库存编号：FQP50N06FS-ND
  别名：FQP50N06-ND
  FQP50N06FS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6076ENZ1C9
  仓库库存编号：R6076ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 120W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP044NPBF
  仓库库存编号：IRFP044NPBF-ND
  别名：*IRFP044NPBF
  SP001571098
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75631S3ST
  仓库库存编号：HUF75631S3STFSCT-ND
  别名：HUF75631S3STFSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020ENZC8
  仓库库存编号：R6020ENZC8-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6020ENZ1C9
  仓库库存编号：R6020ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6035ENZ1C9
  仓库库存编号：R6035ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030ENZC8
  仓库库存编号：R6030ENZC8-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030ENZ1C9
  仓库库存编号：R6030ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035ENZC8
  仓库库存编号：R6035ENZC8-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6047ENZ1C9
  仓库库存编号：R6047ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6046FNZ1C9
  仓库库存编号：R6046FNZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6046FNZC8
  仓库库存编号：R6046FNZC8-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6046ANZ1C9
  仓库库存编号：R6046ANZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 120W（Tc） DPAK
  
  型号：STD80N6F6
  仓库库存编号：497-13942-1-ND
  别名：497-13942-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3672_F085
  仓库库存编号：FDB3672_F085CT-ND
  别名：FDB3672_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N90C
  仓库库存编号：FQAF11N90CFS-ND
  别名：FQAF11N90C-ND
  FQAF11N90CFS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF13N80
  仓库库存编号：FQAF13N80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3915TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3915TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3915TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R125G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R125G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R125G7XTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9P25
  仓库库存编号：FQP9P25FS-ND
  别名：FQP9P25-ND
  FQP9P25FS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 24A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6024ENZ1C9
  仓库库存编号：R6024ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020ANZC8
  仓库库存编号：R6020ANZC8-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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