产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK20V60W5,LVQ
仓库库存编号：
TK20V60W5LVQCT-ND
别名：TK20V60W5LVQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
别名：BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC046N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC046N10NS3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP32N20C
仓库库存编号：
FQP32N20CFS-ND
别名：FQP32N20C-ND
FQP32N20CFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R500C3
仓库库存编号：
IPW90R500C3-ND
别名：IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7084TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7084TRPBFCT-ND
别名：IRFH7084TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
型号：
STW10NK60Z
仓库库存编号：
497-3253-5-ND
别名：497-3253-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP15N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681050
SPP15N60C3
SPP15N60C3-ND
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3IN-ND
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW15N60C3
仓库库存编号：
SPW15N60C3IN-ND
别名：SP000014530
SPW15N60C3-ND
SPW15N60C3FKSA1
SPW15N60C3IN
SPW15N60C3X
SPW15N60C3XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH14N65E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH14N65E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH14N65E-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH21N65E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH21N65E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH21N65E-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPP90R500C3XKSA1-ND
别名：IPP90R500C3
IPP90R500C3-ND
SP000413746
SP000683100
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） TO-220
型号：
FCP260N60E
仓库库存编号：
FCP260N60E-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK20V60W,LVQ
仓库库存编号：
TK20V60WLVQCT-ND
别名：TK20V60WLVQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH21N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH21N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH21N65EF-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
别名：BSC100N10NSF GCT
BSC100N10NSF GCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC079N10NSGATMA1CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC105N10LSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840BPBF
仓库库存编号：
IRF840BPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N80C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N80C3XKSA1-ND
别名：SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N80C3
仓库库存编号：
SPW11N80C3IN-ND
别名：SP000013703
SPW11N80C3FKSA1
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XK
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP8N50D-E3
仓库库存编号：
SIHP8N50D-E3-ND
别名：SIHP8N50D-E3CT
SIHP8N50D-E3CT-ND
SIHP8N50DE3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP8N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHP8N50D-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 156W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD18510Q5BT
仓库库存编号：
296-46567-1-ND
别名：296-46567-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
型号：
STW9NK70Z
仓库库存编号：
497-5899-5-ND
别名：497-5899-5
STW9NK70Z-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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