产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 357W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB52N20TM
仓库库存编号:
FDB52N20TMCT-ND
别名:FDB52N20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 29A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 357W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB29S50L
仓库库存编号:
785-1473-1-ND
别名:785-1473-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP52N20
仓库库存编号:
FDP52N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-220
型号:
AOT27S60L
仓库库存编号:
785-1252-5-ND
别名:785-1252-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60F
仓库库存编号:
FCH104N60F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK27S60L
仓库库存编号:
785-1534-5-ND
别名:AOK27S60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK965R8-100E,118
仓库库存编号:
1727-7137-1-ND
别名:1727-7137-1
568-9570-1
568-9570-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R8-80E,118
仓库库存编号:
1727-1890-1-ND
别名:1727-1890-1
568-11623-1
568-11623-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N60E-GE3-ND
别名:SIHW47N60E-GE3CT
SIHW47N60E-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP104N60
仓库库存编号:
FCP104N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-220
型号:
FCP099N60E
仓库库存编号:
FCP099N60E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP110N65F
仓库库存编号:
FCP110N65F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH110N65F_F155
仓库库存编号:
FCH110N65F_F155-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60
仓库库存编号:
FCH104N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP104N60F
仓库库存编号:
FCP104N60F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB110N65F
仓库库存编号:
FCB110N65FCT-ND
别名:FCB110N65FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG47N60E-E3-ND
别名:SIHG47N60EE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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IXYS
N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 357W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA64N10L2
仓库库存编号:
IXTA64N10L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA80N075L2
仓库库存编号:
IXTA80N075L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK765R0-100E,118
仓库库存编号:
1727-7135-1-ND
别名:1727-7135-1
568-9567-1
568-9567-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP80N075L2
仓库库存编号:
IXTP80N075L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1895-1-ND
别名:1727-1895-1
568-11628-1
568-11628-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB27S60L
仓库库存编号:
785-1248-1-ND
别名:785-1248-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 357W(Tc),
无铅
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