产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8441
仓库库存编号：
FDB8441CT-ND
别名：FDB8441CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75NF75
仓库库存编号：
497-2788-5-ND
别名：497-2788-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF55L-06
仓库库存编号：
497-5898-5-ND
别名：497-5898-5
STP80NF55L-06-ND
STP80NF55L06
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA10P50PTRL
仓库库存编号：
IXTA10P50PTRLCT-ND
别名：IXTA10P50PTRLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80PF55
仓库库存编号：
497-2729-5-ND
别名：497-2729-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV300NH02L
仓库库存编号：
497-7614-1-ND
别名：497-7614-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 300V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP46NF30
仓库库存编号：
497-13442-ND
别名：497-13442
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP10P50P
仓库库存编号：
IXTP10P50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA26P20P
仓库库存编号：
IXTA26P20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP26P20P
仓库库存编号：
IXTP26P20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ52P10P
仓库库存编号：
IXTQ52P10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH40N30
仓库库存编号：
IXFH40N30-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50Q
仓库库存编号：
IXFH26N50Q-ND
别名：476048
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50
仓库库存编号：
IXFH26N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH58N20
仓库库存编号：
IXFH58N20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH75N10
仓库库存编号：
IXFH75N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100
仓库库存编号：
IXFH12N100-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9610-100B,118
仓库库存编号：
1727-5261-1-ND
别名：1727-5261-1
568-6586-1
568-6586-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
别名：IPB80N08S2L-07CT
IPB80N08S2L-07CT-ND
IPB80N08S2L07ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB140NF55T4
仓库库存编号：
497-4321-1-ND
别名：497-4321-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP191NQ06LT,127
仓库库存编号：
1727-4639-ND
别名：1727-4639
568-5756
568-5756-5
568-5756-5-ND
568-5756-ND
934058544127
PHP191NQ06LT
PHP191NQ06LT,127-ND
PHP191NQ06LT-ND
PHP191NQ06LT127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB025N08N3 G
仓库库存编号：
IPB025N08N3 GCT-ND
别名：IPB025N08N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB038N12N3 G
仓库库存编号：
IPB038N12N3 GCT-ND
别名：IPB038N12N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB072N15N3 G
仓库库存编号：
IPB072N15N3 GCT-ND
别名：IPB072N15N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60NF10
仓库库存编号：
497-4384-5-ND
别名：497-4384-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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