产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB031N08
仓库库存编号：
FDB031N08CT-ND
别名：FDB031N08CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19536KTTT
仓库库存编号：
296-41136-1-ND
别名：296-41136-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19536KCS
仓库库存编号：
296-37289-5-ND
别名：296-37289-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
库存产品核实请求
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4010TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4010TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4010TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB047N10
仓库库存编号：
FDB047N10CT-ND
别名：FDB047N10CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4127TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4127TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4127TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLB3034PBF
仓库库存编号：
IRLB3034PBF-ND
别名：64-0061PBF
64-0061PBF-ND
SP001578716
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB020N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB020N10N5ATMA1CT-ND
别名：IPB020N10N5ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IPT007N06NATMA1
仓库库存编号：
IPT007N06NATMA1CT-ND
别名：IPT007N06NATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP50020EL-GE3
仓库库存编号：
SUP50020EL-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7730PBF
仓库库存编号：
IRFB7730PBF-ND
别名：SP001556128
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS3006TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS3006TRL7PPCT-ND
别名：IRFS3006TRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB017N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB017N10N5ATMA1CT-ND
别名：IPB017N10N5ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4010PBF
仓库库存编号：
IRFSL4010PBF-ND
别名：SP001567760
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRLS3034TRLPBF
仓库库存编号：
IRLS3034TRLPBFCT-ND
别名：IRLS3034TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3006TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3006TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3006TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7530PBF
仓库库存编号：
IRFB7530PBF-ND
别名：SP001575524
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7430PBF
仓库库存编号：
IRFB7430PBF-ND
别名：SP001551786
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP032N08
仓库库存编号：
FDP032N08-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4127PBF
仓库库存编号：
IRFB4127PBF-ND
别名：SP001560212
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL40B209
仓库库存编号：
IRL40B209-ND
别名：SP001576458
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL60B216
仓库库存编号：
IRL60B216-ND
别名：SP001568416
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3006PBF
仓库库存编号：
IRFB3006PBF-ND
别名：SP001570606
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 375W（Tc）,
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