产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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NXP USA Inc. (1)
ON Semiconductor (11)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06T4
仓库库存编号:
NTB18N06T4OS-ND
别名:NTB18N06T4OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06LT4
仓库库存编号:
NTB18N06LT4OS-ND
别名:NTB18N06LT4OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06L
仓库库存编号:
NTP18N06LOS-ND
别名:NTP18N06LOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06
仓库库存编号:
NTP18N06OS-ND
别名:NTP18N06OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06T4G
仓库库存编号:
NTB18N06T4GOS-ND
别名:NTB18N06T4GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06G
仓库库存编号:
NTP18N06GOS-ND
别名:NTP18N06GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06LG
仓库库存编号:
NTP18N06LGOS-ND
别名:NTP18N06LGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06
仓库库存编号:
NTB18N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06G
仓库库存编号:
NTB18N06G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06L
仓库库存编号:
NTB18N06L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06LT4G
仓库库存编号:
NTB18N06LT4GOSCT-ND
别名:NTB18N06LT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35.2A (Tc) 48.4W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN013-100XS,127
仓库库存编号:
568-9499-5-ND
别名:568-9499-5
934066044127
PSMN013-100XS,127-ND
PSMN013-100XS127
PSMN013100XS127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 48.4W(Tc),
无铅
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