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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N20LTU
  仓库库存编号：FQI5N20LTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N20TU
  仓库库存编号：FQI5N20TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N25TU
  仓库库存编号：FQI4N25TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.3A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2P25TU
  仓库库存编号：FQI2P25TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3P20TU
  仓库库存编号：FQI3P20TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N25TM
  仓库库存编号：FQB4N25TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2.3A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2P25TM
  仓库库存编号：FQB2P25TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N20LTM
  仓库库存编号：FQB5N20LTM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3P20TM
  仓库库存编号：FQB3P20TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N20TM
  仓库库存编号：FQB5N20TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），52W（Tc）,
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