产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW3N150
仓库库存编号：
497-10005-5-ND
别名：497-10005-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW3N170
仓库库存编号：
497-16308-5-ND
别名：497-16308-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD390N15A
仓库库存编号：
FDD390N15ACT-ND
别名：FDD390N15ACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI2910PBF
仓库库存编号：
IRLI2910PBF-ND
别名：*IRLI2910PBF
SP001558218
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW4N150
仓库库存编号：
497-10004-5-ND
别名：497-10004-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW40N60M2
仓库库存编号：
497-15538-5-ND
别名：497-15538-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR6225TRPBF
仓库库存编号：
IRLR6225TRPBFCT-ND
别名：IRLR6225TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI3205PBF
仓库库存编号：
IRFI3205PBF-ND
别名：*IRFI3205PBF
64-7007PBF
64-7007PBF-ND
SP001570864
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 81A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8256TRPBF
仓库库存编号：
IRLR8256TRPBFCT-ND
别名：IRLR8256TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600C6
仓库库存编号：
IPB60R600C6CT-ND
别名：IPB60R600C6CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16309-5-ND
别名：497-16309-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600C6
仓库库存编号：
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7N20
仓库库存编号：
FQP7N20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600C6
仓库库存编号：
IPP60R600C6-ND
别名：IPP60R600C6XKSA1
SP000645074
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600E6
仓库库存编号：
IPD60R600E6CT-ND
别名：IPD60R600E6CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名：IPB65R225C7ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N80C3
仓库库存编号：
SPP04N80C3IN-ND
别名：SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R225C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R225C7XKSA1-ND
别名：SP000929432
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 63W（Tc） TO-220
型号：
IXTP20N65XM
仓库库存编号：
IXTP20N65XM-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP2P40_F080
仓库库存编号：
FQP2P40_F080-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名：SP000931534
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD04N80C3ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名：IPD65R225C7ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
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