产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW3N150
仓库库存编号:
497-10005-5-ND
别名:497-10005-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW3N170
仓库库存编号:
497-16308-5-ND
别名:497-16308-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD390N15A
仓库库存编号:
FDD390N15ACT-ND
别名:FDD390N15ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2910PBF
仓库库存编号:
IRLI2910PBF-ND
别名:*IRLI2910PBF
SP001558218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW4N150
仓库库存编号:
497-10004-5-ND
别名:497-10004-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW40N60M2
仓库库存编号:
497-15538-5-ND
别名:497-15538-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 63W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR6225TRPBF
仓库库存编号:
IRLR6225TRPBFCT-ND
别名:IRLR6225TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI3205PBF
仓库库存编号:
IRFI3205PBF-ND
别名:*IRFI3205PBF
64-7007PBF
64-7007PBF-ND
SP001570864
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 81A(Tc) 63W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8256TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8256TRPBFCT-ND
别名:IRLR8256TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600C6
仓库库存编号:
IPB60R600C6CT-ND
别名:IPB60R600C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW42N60M2-EP
仓库库存编号:
497-16309-5-ND
别名:497-16309-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.6A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N20
仓库库存编号:
FQP7N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600C6
仓库库存编号:
IPP60R600C6-ND
别名:IPP60R600C6XKSA1
SP000645074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600E6
仓库库存编号:
IPD60R600E6CT-ND
别名:IPD60R600E6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R225C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N80C3
仓库库存编号:
SPP04N80C3IN-ND
别名:SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R225C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R225C7XKSA1-ND
别名:SP000929432
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 63W(Tc) TO-220
型号:
IXTP20N65XM
仓库库存编号:
IXTP20N65XM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 2A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP2P40_F080
仓库库存编号:
FQP2P40_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名:SP000931534
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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