产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2910PBF
仓库库存编号:
IRLI2910PBF-ND
别名:*IRLI2910PBF
SP001558218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 63W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR6225TRPBF
仓库库存编号:
IRLR6225TRPBFCT-ND
别名:IRLR6225TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI3205PBF
仓库库存编号:
IRFI3205PBF-ND
别名:*IRFI3205PBF
64-7007PBF
64-7007PBF-ND
SP001570864
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 81A(Tc) 63W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8256TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8256TRPBFCT-ND
别名:IRLR8256TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600C6
仓库库存编号:
IPB60R600C6CT-ND
别名:IPB60R600C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600C6
仓库库存编号:
IPP60R600C6-ND
别名:IPP60R600C6XKSA1
SP000645074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600E6
仓库库存编号:
IPD60R600E6CT-ND
别名:IPD60R600E6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R225C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N80C3
仓库库存编号:
SPP04N80C3IN-ND
别名:SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R225C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R225C7XKSA1-ND
别名:SP000929432
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名:SP000931534
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC90N04S53R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC90N04S53R6ATMA1-ND
别名:SP001418114
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-251-3
型号:
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001593930
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名:IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S406ATMA1-ND
别名:SP001121640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名:SP001161210
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Tc) 63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001227056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名:SP001292878
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) TO-252
型号:
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117094
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 63W(Tc),
无铅
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