产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 17.3W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A025FG
仓库库存编号:
GP1M008A025FG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 17.3W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M002A065FG
仓库库存编号:
GP2M002A065FG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 17.3W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A050FG
仓库库存编号:
1560-1154-5-ND
别名:1560-1154-1
1560-1154-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 17.3W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A020FG
仓库库存编号:
1560-1171-5-ND
别名:1560-1171-1
1560-1171-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 17.3W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M002A060FG
仓库库存编号:
1560-1193-5-ND
别名:1560-1193-1
1560-1193-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 17.3W(Tc),
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