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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5PF30L
  仓库库存编号：497-3231-1-ND
  别名：497-3231-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN1NK80Z
  仓库库存编号：497-4669-1-ND
  别名：497-4669-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS7NF60L
  仓库库存编号：497-4757-1-ND
  别名：497-4757-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS7PF30L
  仓库库存编号：497-3233-1-ND
  别名：497-3233-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2399DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2399DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2399DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2329DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2329DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2329DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7205TRPBF
  仓库库存编号：IRF7205PBFCT-ND
  别名：*IRF7205TRPBF
  IRF7205PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5NF60L
  仓库库存编号：497-8044-1-ND
  别名：497-8044-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TRPBF
  仓库库存编号：IRF7493PBFCT-ND
  别名：*IRF7493TRPBF
  IRF7493PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7204TRPBF
  仓库库存编号：IRF7204PBFCT-ND
  别名：*IRF7204TRPBF
  IRF7204PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GTB-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GTB
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GCT-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGTR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGCT-ND
  别名：TSM160P02CS RLGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGDKR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGTR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGCT-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGDKR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS9NF3LL
  仓库库存编号：497-8196-1-ND
  别名：497-8196-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5N15F3
  仓库库存编号：497-8903-1-ND
  别名：497-8903-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2342DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2342DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2342DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 830mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT4N25TF
  仓库库存编号：FQT4N25TFCT-ND
  别名：FQT4N25TFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN1NF10
  仓库库存编号：497-14747-1-ND
  别名：497-14747-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 550mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT2P25TF
  仓库库存编号：FQT2P25TFCT-ND
  别名：FQT2P25TFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS11NF30L
  仓库库存编号：497-4121-1-ND
  别名：497-4121-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Tc）,
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