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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD70N10F4
  仓库库存编号：497-8806-1-ND
  别名：497-8806-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK100Z
  仓库库存编号：497-4382-5-ND
  别名：497-4382-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840PBF
  仓库库存编号：IRF840PBF-ND
  别名：*IRF840PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640PBF
  仓库库存编号：IRF640PBF-ND
  别名：*IRF640PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740PBF
  仓库库存编号：IRF740PBF-ND
  别名：*IRF740PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N6F7
  仓库库存编号：497-15888-5-ND
  别名：497-15888-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF20
  仓库库存编号：497-5825-5-ND
  别名：497-5825-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60F
  仓库库存编号：FCP11N60FFS-ND
  别名：FCP11N60F-ND
  FCP11N60FFS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C2M0160120D
  仓库库存编号：C2M0160120D-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C3M0065090D
  仓库库存编号：C3M0065090D-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 36A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：TPH3205WSB
  仓库库存编号：TPH3205WSB-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90P04P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P04P4L04ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N15NS3 GCT
  BSC190N15NS3 GCT-ND
  BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC600N25NS3 G
  仓库库存编号：BSC600N25NS3 GCT-ND
  别名：BSC600N25NS3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644PBF
  仓库库存编号：IRF644PBF-ND
  别名：*IRF644PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE30PBF
  仓库库存编号：IRFBE30PBF-ND
  别名：*IRFBE30PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9640PBF
  仓库库存编号：IRF9640PBF-ND
  别名：*IRF9640PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB9NK80Z
  仓库库存编号：497-13936-1-ND
  别名：497-13936-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30PBF
  仓库库存编号：IRFBG30PBF-ND
  别名：*IRFBG30PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740APBF
  仓库库存编号：IRF740APBF-ND
  别名：*IRF740APBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15N65M5
  仓库库存编号：497-12936-5-ND
  别名：497-12936-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30SPBF
  仓库库存编号：IRFBE30SPBF-ND
  别名：*IRFBE30SPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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