产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
SCT2120AFC
仓库库存编号：
SCT2120AFC-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 165W（Tc） TO-247N
型号：
SCT3060ALGC11
仓库库存编号：
SCT3060ALGC11-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 165W（Tc） TO-247N
型号：
SCT3080KLGC11
仓库库存编号：
SCT3080KLGC11-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
型号：
TK12E80W,S1X
仓库库存编号：
TK12E80WS1X-ND
别名：TK12E80W,S1X(S
TK12E80WS1X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK17N65W,S1F
仓库库存编号：
TK17N65WS1F-ND
别名：TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB12N50TM
仓库库存编号：
FDB12N50TMCT-ND
别名：FDB12N50TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-220
型号：
TK17E65W,S1X
仓库库存编号：
TK17E65WS1X-ND
别名：TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 32A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
型号：
APT40SM120J
仓库库存编号：
APT40SM120J-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG9N65CT
仓库库存编号：
DMG9N65CTDI-ND
别名：DMG9N65CTDI
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK20N60W5,S1VF
仓库库存编号：
TK20N60W5S1VF-ND
别名：TK20N60W5,S1VF(S
TK20N60W5S1VF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP12N50
仓库库存编号：
FDP12N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
型号：
TK20C60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK20C60WS1VQ-ND
别名：TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 165W（Tc） TO-247
型号：
SCT2160KEC
仓库库存编号：
SCT2160KEC-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
型号：
TK20G60W,RVQ
仓库库存编号：
TK20G60WRVQCT-ND
别名：TK20G60WRVQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB12N50FTM_WS
仓库库存编号：
FDB12N50FTM_WSCT-ND
别名：FDB12N50FTM_WSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号：
DMNH4005SCTQ-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCT
仓库库存编号：
DMNH4005SCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-220
型号：
TK20E60W,S1VX
仓库库存编号：
TK20E60WS1VX-ND
别名：TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK20N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK20N60WS1VF-ND
别名：TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 700V 49A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
型号：
APT70SM70J
仓库库存编号：
APT70SM70J-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 280V 36A（Tc） 165W（Tc） TO-3PF
型号：
FDAF62N28
仓库库存编号：
FDAF62N28-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 10A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB12N50UTM_WS
仓库库存编号：
FDB12N50UTM_WSCT-ND
别名：FDB12N50UTM_WSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3-05
仓库库存编号：
IPI80N06S3-05IN-ND
别名：IPI80N06S3-05-ND
IPI80N06S3-05IN
IPI80N06S305X
IPI80N06S305XK
SP000102214
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3L-05
仓库库存编号：
IPI80N06S3L-05IN-ND
别名：IPI80N06S3L-05-ND
IPI80N06S3L-05IN
IPI80N06S3L05X
IPI80N06S3L05XK
SP000102204
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3-05
仓库库存编号：
IPP80N06S3-05IN-ND
别名：IPP80N06S3-05-ND
IPP80N06S3-05IN
IPP80N06S305X
IPP80N06S305XK
SP000102213
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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